开环电流传感器:通常，开环霍尔效应传感器使用磁性传感器产生与感应电流成正比的电压，该电压扩大到与导体电流成正比的模拟信号输出。在其结构上，导体通过磁铁的中心位置集中磁场，磁铁传感器放置在磁铁的间隙中，如图1所示。在开环结构中，霍尔效应电流传感器IC可能对温度的非线性和灵敏度的漂移产生误差。

    闭环传感器使用电流传感器IC主动驱动的线圈，产生与导体电流相反的磁场。这样，霍尔传感器总是在零磁场的工作点运行。输出信号由电阻器产生，该电阻器的电压与线圈中的电流成正比，该电流也与绕在磁芯线圈中的电流成正比翻译细节。

    电流传感器不仅需要铁芯，还需要线圈和额外的高功率放大器来驱动线圈。闭环电流传感器比开环结构复杂，但系统只在零磁场这个工作点运行，消除了与霍尔传感器IC相关的灵敏度误差。如果设计合理，闭环和开环霍尔效应电流传感器通常具有相同的零安培输出电压性能，因此两者的零安培检测精度非常相似。

    如果要求高精度，通常选择闭环电流传感器，可以消除上述系统的灵敏度非线性误差。在一些应用中，为了更好地控制应用中的电流，需要快速响应来保护IGBT和MOSFET等半导体设备。如果能够足够的精度和响应速度，由于其尺寸、功耗等先天优势，开环传感器也是理想的选择。